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PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)
普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，集多種測(cè)量和分析功能一體，可以精準(zhǔn)測(cè)量不同封裝類(lèi)型功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性、μΩ級(jí)精確測(cè)量、nA級(jí)電流測(cè)量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率器件結(jié)電容，如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。
普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)配置有多種測(cè)量單元模塊，模塊化的設(shè)計(jì)測(cè)試方法靈活，能夠極大方便用戶添加或升級(jí)測(cè)量模塊，適應(yīng)測(cè)量功率器件不斷變化的需求。
產(chǎn)品特點(diǎn)
● 高電壓達(dá)3500V(最大擴(kuò)展至12kV)
● 大電流達(dá)6000A(多模塊并聯(lián))
● nA級(jí)漏電流μΩ級(jí)導(dǎo)通電阻
● 高精度測(cè)量0.1%
● 模塊化配置，可添加或升級(jí)測(cè)量單元，可提供IV、CV、跨導(dǎo)等豐富功能的綜合測(cè)試
● 測(cè)試效率高，自動(dòng)切換、一鍵測(cè)試
● 溫度范圍廣，支持常溫、高溫測(cè)試
● 兼容多種封裝，根據(jù)測(cè)試需求定制夾具
測(cè)試項(xiàng)目
● 二極管：反向擊穿電壓VR、反向漏電流IR、正向電壓VF、正向電流IF、電容值Cd、I-V曲線、C-V曲線
● 三極管：V(BR)CEO、V(BR)CBO、V(BR)EBO、ICBO、VCE(sat)、VBE(sat)、IC、IB、Ceb、增益hFE，輸入特性曲線、輸出特性曲線、C-V特性曲線
● Si MOS/IGBT/SiC MOS/GaN HEMT：V(BR)DSS/V(BR)CES、IDSS/ICES、VCE(sat)、RDS(on)、VSD/VF、VGS(th)/VGE(th)、IGSS/IGES柵極內(nèi)阻Rg、輸入電容Ciss/Cies、輸出電容Coss/Coes、反向傳輸電容Crss/Cres、跨導(dǎo)gfs、輸出特性曲線、轉(zhuǎn)移特性曲線、C-V特性曲線
● 光耦(四端口以下)：IF、VF、V(BR)CEO、VCE(sat)、ICEO、IR、輸入電容CT、輸出電容CCE、電流傳輸比CTR、隔離電容CIO
系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)
1、IGBT等大功率器件由于其功率特點(diǎn)極易產(chǎn)生大量熱量，施加應(yīng)力時(shí)間長(zhǎng)，溫度迅速上升，嚴(yán)重時(shí)會(huì)使器件損壞，且不符合器件工作特性。普賽斯高壓模塊建立的時(shí)間小于5ms，在測(cè)試過(guò)程中能夠減少待測(cè)物加電時(shí)間的發(fā)熱。
2、高壓下漏電流的測(cè)試能力無(wú)與倫比，測(cè)試覆蓋率優(yōu)于國(guó)際品牌。市面上絕大多數(shù)器件的規(guī)格書(shū)顯示，小模塊在高溫測(cè)試時(shí)漏電流一般大于5mA，而車(chē)規(guī)級(jí)三相半橋高溫下漏電大于50mA。以HITACH Spec.No.IGBT-SP-05015 R3規(guī)格書(shū)為例：3300V，125℃測(cè)試條件下ICES典型值14mA，最大40mA。普賽斯靜態(tài)系統(tǒng)高壓模塊測(cè)試幾乎可以完美應(yīng)對(duì)所有類(lèi)型器件的漏電流測(cè)試需求。
3、此外，VCE(sat)測(cè)試是表征 IGBT 導(dǎo)通功耗的主要參數(shù)，對(duì)開(kāi)關(guān)功耗也有一定的影響。需要使用高速窄脈沖電流源，脈沖上升沿速度要足夠快時(shí)才能減小器件發(fā)熱，同時(shí)設(shè)備需要有同步采樣電壓功能。
IGBT靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)大電流模塊：50us—500us 的可調(diào)電流脈寬，上升邊沿在 15us(典型值)，減少待測(cè)物在測(cè)試過(guò)程中的發(fā)熱，使測(cè)試結(jié)果更加準(zhǔn)確。下圖為 1000A 波形：
4、快速靈活的客制化夾具解決方案：強(qiáng)大的測(cè)試夾具解決方案對(duì)于保證操作人員安全和支持各種功率器件封裝類(lèi)型極為重要。不論器件的大小或形狀如何，普賽斯均可以快速響應(yīng)用戶需求，提供靈活的客制化夾具方案。夾具具有低阻抗、安裝簡(jiǎn)單、種類(lèi)豐富等特點(diǎn)，可用于二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)晶體管、IGBT、SiC MOS、GaN等單管，模組類(lèi)產(chǎn)品的測(cè)試。
產(chǎn)品選型
| 項(xiàng)目 | 最大電壓 | 最大電流 | 精度 | 漏電流測(cè)試量程 |
|---|---|---|---|---|
| 集電極-發(fā)射極 | 3500V | 6000A | 0.1% | 1μA-100mA |
| 項(xiàng)目 | 最大電壓 | 最大電流 | 精度 | 最小電流量程 |
|---|---|---|---|---|
| 柵極-發(fā)射極 | 300V | 1A(直流)/10A(脈沖) | 0.1% | 10nA |
| 項(xiàng)目 | 基本測(cè)試精度 | 頻率范圍 | 電容值范圍 |
|---|---|---|---|
| 電容測(cè)試 | 0.05% | 0.05% | 0.01pF-9.9999F |
PMST功率器件靜態(tài)系統(tǒng)不同規(guī)格配置型號(hào)參考：
| 型號(hào) | 大電流源測(cè)單元規(guī)格 | 大電流源測(cè)單元數(shù)量 | 高壓源測(cè)單元規(guī)格 | 高壓源測(cè)單元數(shù)量 | 最大電壓/電流 |
|---|---|---|---|---|---|
| PMST1203 | 300A/30V | 1 | 1200V/100mA | 1 | 1200V/300A |
| PMST1210 | 1000A/18V | 1 | 1200V/100mA | 1 | 1200V/1000A |
| PMST2210 | 1000A/18V | 1 | 2200V/100mA | 1 | 2200V/1000A |
| PMST3510 | 1000A/18V | 1 | 3500V/100mA | 1 | 3500V/1000A |
| PMST3520 | 1000A/18V | 2 | 3500V/100mA | 1 | 3500V/2000A |
| PMST8030 | 1000A/18V | 3 | 8000V/100mA | 1 | 8000V/3000A |
*以上規(guī)格如有更新，恕不另行通知。
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